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IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件
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MOSFET
MOS管是一種具有絕緣柵的FET,其中電壓決定了器件的電導率。
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TSS半導體放電管
半導體放電管,是一種過壓保護器件,是利用晶閘管原理制成的,依靠PN結的擊穿電流觸發(fā)器件導通放電,可以流過很大的浪涌電流或脈沖電流。
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GDT陶瓷氣體放電管
簡述;
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陶瓷氣體放電管是由電壓導通的開關型器件,使用中并聯(lián)在被保護設備的線與線或線與地端之間。陶瓷氣體放電管是防雷保護設備中應用最廣泛的開關器件,浪涌電流大,可達20KA、4 -
SCR可控硅
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保險絲
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TVS瞬態(tài)抑制二極管
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ESD靜電保護器件
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整流器件
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MOV壓敏電阻
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